Mini/Micro LED 与传统 LED 的区别
LED 技术从 DIP → SMD → COB → Mini LED → Micro LED 的发展历程，是显示与照明行业不断追求更高亮度、更小像素、更低功耗和更广色域的缩影。
DIP（双列直插封装）：1960s至1980s，主要用于简单显示和指示灯，像素间距大、亮度有限。
SMD（表贴封装）：90年代起广泛用于广告和舞台大屏，封装密度高，亮度可达1000 cd/m²左右。
COB（芯片直接封装）：2000s流行，用于高可靠性和高精度商显领域，像素密度更高。
Mini LED：近五年快速发展，芯片尺寸微缩至50–200 μm，支持背光分区控制，实现局部调光与更高对比度。
Micro LED：最前沿技术，芯片尺寸小于50 μm，可实现独立像素驱动，亮度极高、色彩精度接近Rec.2020标准，是未来高端显示终极方案。
本文将从 芯片结构、封装工艺、性能参数、应用场景、供应链、市场预测与投资策略七大维度详细解析，帮助企业、投资者、工程师全面理解 LED 技术演进趋势。
一、芯片尺寸与封装结构
补充说明：
Mini LED 尽管尺寸缩小，但依然采用传统 LED 封装思路，成本较低，易量产。
Micro LED 采用全新像素级封装和独立驱动，技术复杂，生产难度高，良率成为核心挑战。
二、制造工艺差异
SMD LED
工艺成熟，主要通过回流焊贴装，成本低。
局限性：像素间距难以低于P2.0，适合中低分辨率显示场景。
COB LED
芯片直接贴装到PCB上，通过胶或焊接固定。
优点：散热好、可靠性高、视觉均匀性优。
缺点：维修困难，良率依赖工艺稳定性。
Mini LED
倒装芯片+IMD封装技术，固晶精度达到 ±10 μm。
可实现多分区局部调光（1000–2304分区电视），大幅提升对比度和画面精细度。
应用案例：苹果 iPad Pro 背光、TCL 高端电视、奔驰仪表盘。
Micro LED
巨量转移技术，一次需精准转移数百万颗芯片到基板。
精度要求 <1 μm，良率低，成本极高，是量产瓶颈。
应用案例：三星 The Wall、索尼 Crystal LED、迪士尼虚拟片场。
三、性能参数对比
补充说明：
Mini LED 相比传统 LED，亮度更高、对比度更强、能效更好。
Micro LED 在亮度、色彩精度和寿命上超越 OLED，但价格仍然高昂。
四、典型应用场景
传统 LED（SMD/COB）
户外广告屏（P6–P10）、舞台灯光、交通指示
商显应用：企业会议室拼接屏、指挥中心显示墙
Mini LED
高端电视（TCL X11、苹果 iPad Pro 背光）
高性能笔记本（MacBook Pro、华硕ROG）
车载显示（奔驰、宝马中控仪表）
Micro LED
AR/VR头显（Meta、Pico实验项目）
可穿戴设备（苹果 Watch、未来智能眼镜）
影院屏幕（索尼 Crystal LED）
虚拟拍摄棚（迪士尼《曼达洛人》场景）
五、供应链与材料维度
衬底材料
蓝宝石（传统）、硅（Mini/Micro LED）、GaN on Si（降低成本潜力大）
封装材料
环氧树脂、透明硅胶、导热陶瓷
代表企业
中国：京东方、利亚德、洲明科技
台湾：晶电、友达、群创
韩国：三星、LG
美国：苹果、Meta
日本：索尼、松下
六、市场规模与趋势
Mini LED
2024年：68亿美元
2027年：预计150亿美元
市场驱动：电视、车载、笔记本背光
Micro LED
2024年：不足10亿美元
2030年：预计突破200亿美元
市场驱动：AR/VR、可穿戴、影院
传统 LED
2024年：500亿美元
增速放缓，但在广告和中低端照明仍稳定
七、投资机会与风险
机会
Mini LED：未来5年高端显示主流，性价比提升
Micro LED：量产成功将彻底替代 OLED，占领高端市场
风险
Mini LED：受 OLED 降价冲击
Micro LED：量产难度高，企业现金流压力大
八、结论与展望
短期（1–3年）：Mini LED 渗透电视、笔电、车载市场，成为高端显示主流。
中期（3–5年）：COB Mini 扩展至商显领域，Micro LED 小规模落地。
长期（5–10年）：Micro LED 若量产成功，将成为终极显示，改变全球显示产业格局。
