浏览: SiC衬底缺陷密度对比

导语:
在追求更高效率、更高功率密度和更高可靠性的半导体行业,传统硅基材料已逼近物理极限。当工程师和采购负责人搜索“SiC碳化硅衬底”时,他们真正的痛点是:面对市场上不同供应商和技术路线的产品,如何做出最优选择?哪种衬底才能真正释放SiC器件的潜力,满足电动汽车、新能源、5G